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消息稱臺積電2nm芯片生產良率達60%以上,有望明年量產

12月9日,據外媒透露,臺積電計劃明年開始量產2納米芯片,目前該公司已在位于新竹的臺積電工廠進行試產,結果顯示其2nm制程的良率已達到60%以上。據介紹,臺積電的2nm工藝引入了一種新的晶體管結構——環繞柵極(Gate-All-Around, GAA)。GAA晶體管通過垂直排列的水平納米片,在四個側面包圍通道,而前代的鰭式場效應晶體管(FinFET)僅能覆蓋三面。GAA晶體管具有更低的漏電率和更高的驅動電流,從而提升了性能。

編輯/ly
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